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MZ-V9P1T0BW - Samsung 990 PRO M.2 1000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Ref : MZ-V9P1T0BW130,67 €
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Samsung 990 PRO M.2 1000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
MZ-V9P1T0BWSamsung 990 PRO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1000 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7450 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6900 Mo/s, composant pour: PC
Caractéristiques | |
Facteur de forme SSD | M.2 |
Capacité du Solid State Drive (SSD) | 1000 Go |
Interface | PCI Express 4.0 |
Type de mémoire | V-NAND MLC |
NVMe | Oui |
composant pour | PC |
Le chiffrement matériel | Oui |
Version NVMe | 2.0 |
Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
Vitesse de lecture | 7450 Mo/s |
Vitesse d'écriture | 6900 Mo/s |
Lecture aléatoire (4KB) | 1200000 IOPS |
Écriture aléatoire (4KB) | 1550000 IOPS |
Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
Support S.M.A.R.T. | Oui |
Support TRIM | Oui |
Cache DDR externe | Oui |
Quantité de caches DDR externes | 1024 Mo |
Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
Puissance | |
Tension de fonctionnement | 3,3 V |
Consommation (max) | 7,8 W |
Consommation d'énergie (moyenne) | 5,4 W |
Conditions environnementales | |
Température d'opération | 0 - 70 °C |
Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Vibrations en fonctionnement | 1500 G |
Poids et dimensions | |
Largeur | 80 mm |
Profondeur | 2,3 mm |
Hauteur | 22 mm |
Poids | 9 g |
Informations sur l'emballage | |
Type d'emballage | Boîte |