Samsung 990 PRO M.2 1000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

MZ-V9P1T0BW - Samsung 990 PRO M.2 1000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Ref : MZ-V9P1T0BW
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SKU
MZ-V9P1T0BW
Marque
Catégorie
Disques SSD

Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - chiffré - 1 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0

Samsung 990 PRO M.2 1000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
MZ-V9P1T0BW
Samsung 990 PRO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1000 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7450 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6900 Mo/s, composant pour: PC
Caractéristiques
Facteur de forme SSDM.2
Capacité du Solid State Drive (SSD)1000 Go
InterfacePCI Express 4.0
Type de mémoireV-NAND MLC
NVMeOui
composant pourPC
Le chiffrement matérielOui
Version NVMe2.0
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Vitesse de lecture7450 Mo/s
Vitesse d'écriture6900 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)1200000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)1550000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Expressx4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Cache DDR externeOui
Quantité de caches DDR externes1024 Mo
Temps moyen entre pannes1500000 h
Puissance
Tension de fonctionnement3,3 V
Consommation (max)7,8 W
Consommation d'énergie (moyenne)5,4 W
Conditions environnementales
Température d'opération0 - 70 °C
Température maximale de fonctionnement70 °C
Vibrations en fonctionnement1500 G
Poids et dimensions
Largeur80 mm
Profondeur2,3 mm
Hauteur22 mm
Poids9 g
Informations sur l'emballage
Type d'emballageBoîte